מהנדס.ת MBE(מבני על מבוססי גליום ארסניד Heterostructures GaAs)במרכז התת מיקרון.
גידול חומרים ופיתוח:
ביצוע גידול אפיטקסיאלי של מבני על וננו-מבנים מבוססי GaAs באמצעות מערכות MBE הקיימות במרכז התת מיקרון.
פיתוח ואופטימיזציה של מתכוני גידול מתקדמים עבור מבני על חדשים.
קביעת וייעול פרוטוקולים של כיול, ניטור ואפיון להבטחת שחזוריות ואיכות גידול גבוהה.
שיתופי פעולה ותמיכה: - מתן שירותי גידול MBE ותמיכה טכנית לחוקרים, תלמידי מחקר ופוסט-דוקטורנטים במרכז התת מיקרון.
שיתוף פעולה עם שותפים ומוסדות חיצוניים לפיתוח פלטפורמות חומרים חדשניות למחקר התקנים מתקדמים.
תפעול ותחזוקה של המערכות: תחזוקת מערכות ה-MBE, תשתיות הוואקום וחומרי המקור, להבטחת פעולה אמינה ושוטפת של המערכת.
הקפדה על נהלי בטיחות במעבדה ועמידה בתקנות חדר הנקי והמתקן
דרישות:
תואר שלישי (PhD)בפיזיקה, מדע החומרים, הנדסת חשמל או תחום רלוונטי אחר - יתרון.
ניסיון מעשי בגידול בשיטת אפיטקסיה בקרן מולקולרית)MBE), במיוחד של מוליכים למחצה מסוג VIII(כגון AlGaAs,InAs,GaAs)- יתרון.
רקע חזק בשיטות אפיון של סרטים דקים, כגון AFM,XRD,RHEED ומדידות הול.
יכולת מוכחת לעבודה שיתופית בסביבה מחקרית רב-תחומית.
כישורי תקשורת ובין-אישיים מצוינים. המשרה מיועדת לנשים ולגברים כאחד.
